庫號：D396922  

磁控濺射鍍膜平臺以您的鍍膜工藝出發(fā)，理論計算和設(shè)計經(jīng)驗結(jié)合，合理的配置，合理的布局。全自動一鍵式操作。滿足科研所、教學(xué)機構(gòu)或企業(yè)多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求，高真空全無油系統(tǒng)。適用行業(yè)：半導(dǎo)體晶圓、太陽能薄膜、SEM掃描電鏡分析等
◆ 適用膜料金屬類：金、銀、鉑金、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質(zhì)類：二氧化硅、三氧化二鋁、等
◆ 基底（襯底）尺寸： φ100（4英寸）或以下尺寸兼容
主要指標(biāo)：
◆ 內(nèi)腔尺寸（mm）：φ400mm*H500mm；
◆ 真空：≤9×10-5 Pa（24 小時內(nèi)）；
◆ 恢復(fù)真空：常溫狀態(tài)下，真空室排氣由大氣至壓強5×10-3Pa，排氣時間≤25min；
◆ 基片烘烤，高溫度500℃，控溫精度≤±1℃；
◆ 設(shè)備漏率：≤1.0×10-9Pa*m3/s;
◆磁控濺射陰極：1~4個，靶面2英寸，可調(diào)角度，帶電動擋板；
◆靶基距：80~110mm可調(diào)；
◆充氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量控制器2套；
◆膜厚監(jiān)控儀（選配）：INFICON/SQC-310石英晶體膜厚儀一套；
◆基片偏壓系統(tǒng)（選配）：可對基片施加大1000V負(fù)偏壓；
◆ 膜厚片內(nèi)均勻性：≤±2%（電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜，延半徑方向均分十點測試）；
◆ 膜厚片間均勻性： ≤±2%（批次內(nèi)5片，每片取平均值）；
◆ 膜厚批間重復(fù)性：≤±2% （連續(xù)3批，每批次取平均值） 。
控制程序：
◆ 一體化工控屏控制；
◆ 全自動一鍵式操作程序，保證鍍膜重復(fù)性；
◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù)，軟件直接調(diào)用運行即可完成整個鍍膜工藝流程，無需額外操作；
◆ 軟件自動生成詳細(xì)的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄；
◆ 記錄文件可回溯，歷史數(shù)據(jù)曲線可查看，時間期限為1年內(nèi)；
◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息；
◆ 關(guān)鍵部件根據(jù)實際使用情況，有維護時間顯示，即節(jié)約成本，又便于維護；
◆ 完備的互鎖功能，防止誤操作；
◆ 程序設(shè)有三級權(quán)限，便于管理及維護。

磁控濺射鍍膜平臺以您的鍍膜工藝出發(fā)，理論計算和設(shè)計經(jīng)驗結(jié)合，合理的配置，合理的布局。全自動一鍵式操作。滿足科研所、教學(xué)機構(gòu)或企業(yè)多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求，高真空全無油系統(tǒng)。適用行業(yè)：半導(dǎo)體晶圓、太陽能薄膜、SEM掃描電鏡分析等
◆ 適用膜料金屬類：金、銀、鉑金、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質(zhì)類：二氧化硅、三氧化二鋁、等
◆ 基底（襯底）尺寸： φ100（4英寸）或以下尺寸兼容
主要指標(biāo)：
◆ 內(nèi)腔尺寸（mm）：φ400mm*H500mm；
◆ 真空：≤9×10-5 Pa（24 小時內(nèi)）；
◆ 恢復(fù)真空：常溫狀態(tài)下，真空室排氣由大氣至壓強5×10-3Pa，排氣時間≤25min；
◆ 基片烘烤，高溫度500℃，控溫精度≤±1℃；
◆ 設(shè)備漏率：≤1.0×10-9Pa*m3/s;
◆磁控濺射陰極：1~4個，靶面2英寸，可調(diào)角度，帶電動擋板；
◆靶基距：80~110mm可調(diào)；
◆充氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量控制器2套；
◆膜厚監(jiān)控儀（選配）：INFICON/SQC-310石英晶體膜厚儀一套；
◆基片偏壓系統(tǒng)（選配）：可對基片施加大1000V負(fù)偏壓；
◆ 膜厚片內(nèi)均勻性：≤±2%（電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜，延半徑方向均分十點測試）；
◆ 膜厚片間均勻性： ≤±2%（批次內(nèi)5片，每片取平均值）；
◆ 膜厚批間重復(fù)性：≤±2% （連續(xù)3批，每批次取平均值） 。
控制程序：
◆ 一體化工控屏控制；
◆ 全自動一鍵式操作程序，保證鍍膜重復(fù)性；
◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù)，軟件直接調(diào)用運行即可完成整個鍍膜工藝流程，無需額外操作；
◆ 軟件自動生成詳細(xì)的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄；
◆ 記錄文件可回溯，歷史數(shù)據(jù)曲線可查看，時間期限為1年內(nèi)；
◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息；
◆ 關(guān)鍵部件根據(jù)實際使用情況，有維護時間顯示，即節(jié)約成本，又便于維護；
◆ 完備的互鎖功能，防止誤操作；
◆ 程序設(shè)有三級權(quán)限，便于管理及維護。

磁控濺射鍍膜平臺以您的鍍膜工藝出發(fā)，理論計算和設(shè)計經(jīng)驗結(jié)合，合理的配置，合理的布局。全自動一鍵式操作。滿足科研所、教學(xué)機構(gòu)或企業(yè)多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求，高真空全無油系統(tǒng)。適用行業(yè)：半導(dǎo)體晶圓、太陽能薄膜、SEM掃描電鏡分析等
◆ 適用膜料金屬類：金、銀、鉑金、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質(zhì)類：二氧化硅、三氧化二鋁、等
◆ 基底（襯底）尺寸： φ100（4英寸）或以下尺寸兼容
主要指標(biāo)：
◆ 內(nèi)腔尺寸（mm）：φ400mm*H500mm；
◆ 真空：≤9×10-5 Pa（24 小時內(nèi)）；
◆ 恢復(fù)真空：常溫狀態(tài)下，真空室排氣由大氣至壓強5×10-3Pa，排氣時間≤25min；
◆ 基片烘烤，高溫度500℃，控溫精度≤±1℃；
◆ 設(shè)備漏率：≤1.0×10-9Pa*m3/s;
◆磁控濺射陰極：1~4個，靶面2英寸，可調(diào)角度，帶電動擋板；
◆靶基距：80~110mm可調(diào)；
◆充氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量控制器2套；
◆膜厚監(jiān)控儀（選配）：INFICON/SQC-310石英晶體膜厚儀一套；
◆基片偏壓系統(tǒng)（選配）：可對基片施加大1000V負(fù)偏壓；
◆ 膜厚片內(nèi)均勻性：≤±2%（電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜，延半徑方向均分十點測試）；
◆ 膜厚片間均勻性： ≤±2%（批次內(nèi)5片，每片取平均值）；
◆ 膜厚批間重復(fù)性：≤±2% （連續(xù)3批，每批次取平均值） 。
控制程序：
◆ 一體化工控屏控制；
◆ 全自動一鍵式操作程序，保證鍍膜重復(fù)性；
◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù)，軟件直接調(diào)用運行即可完成整個鍍膜工藝流程，無需額外操作；
◆ 軟件自動生成詳細(xì)的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄；
◆ 記錄文件可回溯，歷史數(shù)據(jù)曲線可查看，時間期限為1年內(nèi)；
◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息；
◆ 關(guān)鍵部件根據(jù)實際使用情況，有維護時間顯示，即節(jié)約成本，又便于維護；
◆ 完備的互鎖功能，防止誤操作；
◆ 程序設(shè)有三級權(quán)限，便于管理及維護。